我国国产 DUV 光刻机迎来里程碑式进步，套刻≤8nm

lrqshpv">IT之家 9 月 15 日消息，国国光刻工业和信息化部于 9 月 9 日印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知，机迎进步在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），碑式和氟化氩光刻机（65nm）的套刻内容。中国首台（套）重大技术装备是国国光刻指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、机迎进步尚未取得明显市场业绩的碑式装备产品，包括整机设备、套刻核心系统和关键零部件等。国国光刻IT之家附上这两行信息截图如下：晶圆直径照明波长分辨率套刻氟化氪（KrF）光刻机300mm248nm≤110nm≤25nm氟化氩（ArF）光刻机300mm193nm≤65nm≤8nm氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）两种气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，机迎进步产生深紫外光的碑式准分子激光器。目前来说，套刻光刻机共经历了五代的国国光刻发展，从最早的机迎进步 436 波长，再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line，碑式第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波长的 DUV 激光，这就是 ArF 准分子激光。图源：平安证券ArF（氟化氩）准分子激光源光刻机，光源实际波长突破 193nm，缩短为 134nm，NA 值为 1.35，最高可实现 7nm 制程节点。浸入技术是指让镜头和硅片之间的空间浸泡于液体之中，由于液体的折射率大于 1，使得激光的实际波长会大幅度缩小。套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”，按套刻精度与量产工艺 1:3 的关系，这个光刻机大概可以量产 28nm 工艺的芯片。28 纳米光刻机，是芯片中低端和中高端的分界线，意味着工业独立，中国的空调洗衣机汽车等各类工业品，可以突破西方国家设置的重重封锁，自主生产销售。

本文地址：http://tlmrlf.com/news/20241025/07f891733.html